FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: MIYATANI, KOTARO, KUROTORI, TAKUYA, KAWAMURA, KOHEI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

According to a first embodiment of the present invention, a film forming method includes a forming step for forming, in a trench and/or hole formed in a fluorine-containing insulating film, wiring using a wiring metal containing a doping material for preventing fluorine from entering from the insulating film. Furthermore, according to the first embodiment of the present invention, the film forming method includes a step for forming a high concentration section on a wiring interface by performing heat treatment after forming the wiring, said high concentration section having the doping material at a concentration higher than that in the inner section of the wiring. Selon un premier mode de réalisation de la présente invention, un procédé de formation de film comprend une étape de formation consistant à former, dans une tranchée et/ou un trou formé dans un film isolant contenant du fluor, un câblage à l'aide d'un métal de câblage contenant un matériau de dopage pour empêcher que le fluor ne pénètre à partir le film isolant. En outre, selon le premier mode de réalisation de la présente invention, le procédé de formation de film comprend une étape consistant à former une section à haute concentration sur une interface de câblage par la réalisation d'un traitement thermique après la formation du câblage, ladite section à haute concentration présentant une concentration en matériau de dopage supérieure à celle de la section interne du câblage. 　第１の実施形態に係る成膜方法は、フッ素を含む絶縁膜に形成された溝及び／又は孔に、絶縁膜からのフッ素の侵入を防ぐためのドープ材を含有する配線金属を用いて配線を形成する形成工程を含む。また、第１の実施形態に係る成膜方法は、配線が形成された後に熱処理を行うことで、配線の界面に配線の内部と比較してドープ材が高濃度に存在する高濃度部を形成する工程とを含む。