THROUGH-BODY VIA FORMATION TECHNIQUES

• Main Author: LEE, KEVIN, J
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 01.10.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Techniques are disclosed for forming a through-body- via (TBV) in a semiconductor die. In accordance with some embodiments, a TBV provided using the disclosed techniques includes a polymer-based barrier layer and an electrically conductive seed layer formed by applying an electrically conductive ink directly to the barrier layer and then curing it in situ. In some embodiments, after curing, the resultant seed layer may be a thin, substantially conformal, electrically conductive metal film over which the TBV interconnect metal can be deposited. In some example cases, a polyimide, parylene, benzocyclobutene (BCB), and/or polypropylene carbonate (PPC) barrier layer and an ink containing copper (Cu) and/or silver (Ag), of nanoparticle-based or metal complex -based formulation, may be used in forming the TBV. In some instances, the disclosed techniques may be used to address poor step coverage, low run rate, and/or high cost issues associated with existing physical vapor deposition (PVD) -based far- back-end-of-line (FBEOL) processes. La présente invention concerne des techniques pour former un trou d'interconnexion de traversée (TBV) dans une puce à semi-conducteur. Selon certains modes de réalisation, un TBV produit au moyen des techniques décrites comprend une couche de barrière à base de polymère et une couche de germe électriquement conductrice formée par application d'une encre électriquement conductrice directement sur la couche de barrière et ensuite en durcissant celle-ci in situ. Dans certains modes de réalisation, après durcissement, la couche de germe résultante peut être un film métallique électriquement conducteur, sensiblement conforme et mince sur lequel le métal d'interconnexion de TBV peut être déposé. Dans certains cas exemplaires, une couche de barrière de polyimide, parylène, benzocyclobutène (BCB), et/ou carbonate de polypropylène (PPC) et une encre contenant du cuivre (Cu) et/ou de l'argent (Ag), de formulation à base de nanoparticules ou à base de complexe métallique, peuvent être utilisées dans la formation de TBV. Dans certains cas, les techniques décrites peuvent être utilisées pour remédier à des problèmes de couverture progressive médiocre, vitesse de traitement faible et/ou coût élevé associés aux procédés existants de métallisation en fin de ligne (FBEOL) à base de dépôt physique en phase vapeur (PVD).