TERMINAL CONNECTION STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: HIRANO, TAKAHIRO, OKUMURA, TOMOMI, FUKUTANI, KEITA, KADOGUCHI, TAKUYA, HARADA, ARATA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.09.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CURRENT COLLECTORS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LINE CONNECTORS; SEMICONDUCTOR DEVICES

In the present invention, a terminal connection structure is provided with a male terminal and a female terminal that has elasticity and fits the male terminal so as to sandwich the male terminal from both sides. The male terminal includes the following: a base material; a first ground layer covered by the base material; a second ground layer covered by the first ground layer; and an outermost layer covered by the second ground layer. The first ground layer and the second ground layer each have a different hardness. Dans la présente invention, une structure de connexion de borne est pourvue d'une borne mâle et d'une borne femelle qui présente une certaine élasticité et qui s'adapte sur la borne mâle de manière à prendre la borne mâle en sandwich des deux côtés. La borne mâle comporte : un matériau de base; une première couche de masse recouverte par le matériau de base; une seconde couche de masse recouverte par la première couche de masse; et une couche la plus externe recouverte par la seconde couche de masse. La première couche de masse et la seconde couche de masse présentent chacune une dureté différente. 　端子接続構造は、雄端子と、ばね性を有し、前記雄端子を両側から挟むように前記雄端子と嵌合する雌端子とを備え、前記雄端子は、母材と、前記母材に被覆される第１下地層と、前記第１下地層に被覆される第２下地層と、前記第２下地層に被覆される最表層とを含み、前記第１下地層と前記第２下地層とは硬度が異なる。