SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND ELECTRONIC DEVICE

The present disclosure relates to: a solid-state imaging device wherein application unevenness of a color filter is able to be reduced; a method for manufacturing the solid-state imaging device; and an electronic device. A color filter and a plurality of connection unit regions are formed on a senso...

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Main Authors SHINOZAKI AKIRA, MASUDA YOSHIAKI, INOUE KEISHI, MIZUTA KYOHEI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 11.09.2015
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Summary:The present disclosure relates to: a solid-state imaging device wherein application unevenness of a color filter is able to be reduced; a method for manufacturing the solid-state imaging device; and an electronic device. A color filter and a plurality of connection unit regions are formed on a sensor substrate. At least one connection unit region among the plurality of connection unit regions is arranged at a predetermined distance from the other connection unit regions. The present disclosure is applicable, for example, to a backside-illuminated CMOS image sensor having a multilayer structure, a frontside-illuminated CMOS image sensor having a multilayer structure, a CCD image sensor and the like. La présente invention porte sur : un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs dans lequel une irrégularité d'application d'un filtre coloré est apte à être réduite ; un procédé de fabrication du dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ; et un dispositif électronique. Un filtre coloré et une pluralité de régions d'unité de connexion sont formés sur un substrat de capteur. Au moins une région d'unité de connexion parmi la pluralité de régions d'unité de connexion est agencée au niveau d'une distance prédéterminée à partir des autres régions d'unité de connexion. La présente invention est applicable, par exemple, à un capteur d'image CMOS éclairé depuis le côté arrière ayant une structure multicouche, à un capteur d'image CMOS éclairé depuis le côté avant ayant une structure multicouche, à un capteur d'image CCD et analogue.  本開示は、カラーフィルタの塗布ムラを低減することができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 センサ基板上には、カラーフィルタと複数の接続ユニット領域が形成される。複数の接続ユニット領域のうちの少なくとも1つの接続ユニット領域は、他の接続ユニット領域と所定の間隔だけ離れるように配置される。本開示は、例えば、積層構造の裏面照射型のCMOSイメージセンサ、積層構造の表面照射型のCMOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ等に適用することができる。
Bibliography:Application Number: WO2015JP55141