SPLIT-GATE POWER SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR

• Main Authors: LIANG, JIAJIN, NG, CHUN WAI, SIN, JOHNNY KIN ON
• Format: Patent
• Language: Chinese; English; French
• Published: 02.07.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention generally relates to a power Field-Effect Transistor (FET) structure and manufacturing. The present invention provides a planar power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) and an Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) structure comprising a split gate and a semi-insulating field plate. The present invention further provides manufacturing methods for these structures. La présente invention concerne de manière générale une structure de puissance à transistor (TEC) à effet de champ et sa fabrication. La présente invention concerne une structure de puissance plane à transistor à effet de champ à semi-conducteurs à l'oxyde métallique (transistor à effet de champ MOS) et à un transistor bipolaire à grille isolée comprenant une porte double et une plaque de champ semi-isolante. La présente invention porte également sur des procédés de fabrication de ces structures. 本发明大体上涉及功率场效应晶体管(FET)的结构和制造。本发明提供平面功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及包括分裂栅和半绝缘场板的绝缘栅双极晶体管(IGBT)结构。本发明还提供这些结构的制造方法。