SEMICONDUCTOR LASER DIODE, METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR LASER DIODE ARRANGEMENT

• Main Authors: TAEGER, SEBASTIAN, BACHMANN, ALEXANDER
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 25.06.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Es wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten mit einer aktiven Schicht (11), die im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet wird, und eine Wärmebarrierenschicht (2) und eine metallische Kontaktschicht (5) lateral zueinander benachbart auf einer Hauptoberfläche (12) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufweist, wobei die Wärmebarrierenschicht (2) durch ein elektrisch isolierendes poröses Material (9) gebildet wird. Dadurch wird die im Betrieb entstehende Wärme über die p-Elektrode (5) zu einer Wärmesenke (20) geleitet und das Ausbilden eines zweidimensionalen Temperaturgradienten wird vermeiden. Einer thermischen Linse im Kantenemitter wird so entgegen gewirkt. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiodenanordnung angegeben. A semiconductor laser diode is specified, comprising a semiconductor layer sequence (1) with semiconductor layers applied vertically one above another with an active layer (11), which emits laser radiation via a radiation coupling-out surface during operation, wherein the radiation coupling-out surface is formed by a side surface of the semiconductor layer sequence (1), and a heat barrier layer (2) and a metallic contact layer (5) laterally adjacent to one another on a main surface (12) of the semiconductor layer sequence (1), wherein the heat barrier layer (2) is formed by an electrically insulating porous material (9). As a result, the heat arising during operation is conducted via the p-type electrode (5) to a heat sink (20) and the formation of a two-dimensional temperature gradient is avoided. A thermal lens in the edge emitter is thus counteracted. Furthermore, a method for producing a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode arrangement are specified. L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur qui comporte une succession de couches semi-conductrices (1) comprenant des couches semi-conductrices déposées les unes par-dessus les autres dans le sens vertical, avec une couche active (11) qui, en fonctionnement, émet un rayonnement laser par l'intermédiaire d'une surface de sortie de rayonnement, ladite surface de sortie de rayonnement étant formée par une surface latérale de la succession de couches semi-conductrices (1), avec une couche barrière thermique (2) et avec une couche de contact métallique (5) disposées au voisinage les unes des autres latéralement sur une surface principale (12) de la succession de couches semi-conductrices (1), la couche barrière thermique (2) étant formée par un matériau poreux (9) électriquement isolant. La chaleur générée en fonctionnement est ainsi amenée par le biais de l'électrode p (5) à un puits thermique (20), ce qui permet d'éviter la formation d'un gradient de température à deux dimensions et de contrer ainsi un effet de lentille thermique dans l'émetteur par la tranche. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une diode laser à semi-conducteur ainsi qu'une structure à diode laser à semi-conducteur.