CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE CONTROL METHOD

• Main Authors: NAKAMURA MITSUHIRO, AOKI KENJI, SAITOU TSUTOMU, SHIGETO KUNJI, HOSOYA KOTARO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.04.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

The objective of the present invention is to provide a charged particle beam device, wherein the positional relationship between reflected electron detection elements and a sample and the vacuum state of the sample surroundings are evaluated to select automatically a reflected electron detection element appropriate for acquiring an intended image. In this charged particle beam device, all the reflected electron detection elements are selected when the degree of vacuum inside the sample chamber is high and the sample is distant from the reflected electron detectors, while a reflected electron detection element appropriate for acquiring a compositional image or a height map image is selected when the degree of vacuum inside the sample chamber is high and the sample is close to the reflected electron detectors. When the degree of vacuum inside the sample chamber is low, all the reflected electron detection elements are selected (Fig. 7). La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées, servant à évaluer la relation de position entre les éléments de détection d'électrons réfléchis et un échantillon, et l'état de vide entourant l'échantillon afin de sélectionner automatiquement un élément de détection d'électrons réfléchis approprié pour l'acquisition d'une image recherchée. Dans ce dispositif à faisceau de particules chargées, tous les éléments de détection d'électrons réfléchis sont sélectionnés lorsque le degré de vide à l'intérieur de la chambre à échantillons est élevé et que l'échantillon est éloigné des détecteurs d'électrons réfléchis, tandis qu'un élément de détection d'électrons réfléchis approprié pour l'acquisition d'une image de composition ou d'une image de carte d'élévation est sélectionné lorsque le degré de vide à l'intérieur de la chambre à échantillons est élevé et que l'échantillon est proche des détecteurs d'électrons réfléchis. Lorsque le degré de vide à l'intérieur de la chambre à échantillons est faible, tous les éléments de détection d'électrons réfléchis sont sélectionnés (Fig. 7). 　本発明は、反射電子検出素子と試料との間の位置関係や試料周囲の真空状態を認識し、目的の画像を取得するために適した反射電子検出素子を自動的に選択する荷電粒子線装置を提供することを目的とする。　本発明に係る荷電粒子線装置は、試料室内の真空度が高く試料と反射電子検出器が離れているときは全ての反射電子検出素子を選択し、試料室内の真空度が高く試料と反射電子検出器が接近しているときは組成像または凹凸像を取得するのに適した反射電子検出素子を選択する。試料室内の真空度が低いときは全ての反射電子検出素子を選択する（図７参照）。