GROUP-III-NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD THEREFOR, LAMINATED GROUP-III-NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE, AND GROUP-III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

• Main Authors: MATSUMOTO, NAOKI, NAKANISHI, FUMITAKE, HACHIGO, AKIHIRO, KIYAMA, MAKOTO, HIROMURA, YUKI, ISHIBASHI, KEIJI, NAKAHATA, SEIJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.04.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This group-III-nitride composite substrate (1) has a diameter of at least 75 mm, and includes a support substrate (11), and a group-III-nitride film (13) having a thickness of 10-250 µm. In the group-III-nitride film (13), the ratio (st/mt) of the standard deviation (st) of the thickness of the film to the average value (mt) of the thickness of the film is 0.001-0.2, and the ratio (so/mo) of the standard deviation (so) of the absolute value of the off angle of a main surface of the film with respect to a plane in a prescribed plane direction, to the average value (mo) of the absolute value of the off angle is 0.005-0.6. Furthermore, the average value (mom) of the absolute value of the aforementioned off angle in the <10-10> direction is 0.3-1.0˚. Moreover, the average value (moa) of the absolute value of the aforementioned off angle in the <1-210> direction is 0-0.1˚. This substrate makes it possible to provide: a group-III-nitride composite substrate provided with a group-III-nitride film which is inexpensive and has a large diameter, a high film thickness, a low film-thickness distribution, and high crystal quality; a production method therefor; a laminated group-III-nitride composite substrate; and a group-III-nitride semiconductor device and a production method therefor. L'invention concerne un substrat composite au nitrure du groupe (1) qui présente un diamètre d'au moins 75 mm et comprend un substrat de support (11) ainsi qu'un film au nitrure du groupe III (13) d'une épaisseur de 10 à 250 µm. Dans le film au nitrure du groupe III (13), le rapport (st/mt) de l'écart type (st) de l'épaisseur du film par rapport à la valeur moyenne (mt) de l'épaisseur du film est situé entre 0,001 et 0,2, et le rapport (so/mo) de l'écart type (so) de la valeur absolue de l'angle "off-cut" formé par une surface principale du film par rapport à un plan dans une direction de plan prescrite, par rapport à la valeur moyenne (mo) de la valeur absolue de l'angle "off-cut" est situé entre 0,005 et 0,6. En outre, la valeur moyenne (mom) de la valeur absolue de l'angle "off-cut" susmentionné dans la direction <10-10> est comprise entre 0,3 et 1,0°. Par ailleurs, la valeur moyenne (moa) de la valeur absolue de l'angle "off-cut" susmentionné dans la direction <1-210> est comprise entre 0 et 0,1°. Ce substrat permet d'obtenir un substrat composite à base de nitrure du groupe III muni d'un film au nitrure du groupe groupe III qui est peu coûteux et possède un large diamètre, une grosse épaisseur de film, une faible distribution d'épaisseur de film et une haute qualité de cristal. L'invention concerne également un procédé de production dudit substrat ; un substrat composite à base de nitrure du groupe III stratifié ; ainsi qu'un dispositif à semi-conducteurs à base de nitrure du groupe II et son procédé de production. 　本ＩＩＩ族窒化物複合基板（１）は、支持基板（１１）と、厚さが１０μｍ～２５０μｍのＩＩＩ族窒化物膜（１３）と、を含む直径が７５ｍｍ以上のＩＩＩ族窒化物複合基板（１）であって、ＩＩＩ族窒化物膜（１３）について、その厚さの平均値ｍtと標準偏差ｓtとの比ｓt／ｍtが０．００１～０．２であり、その主面の所定の面方位の面に対するオフ角の絶対値の平均値ｍoと標準偏差ｓoとの比ｓo／ｍoが０．００５～０．６であり、上記オフ角について、＜１０－１０＞方向の絶対値の平均値ｍomが０．３°～１．０°、かつ、＜１－２１０＞方向の絶対値の平均値ｍoaが０°～０．１°である。これにより、コストが低く大口径で膜厚が大きく膜厚の分布が小さく結晶品質の高いＩＩＩ族窒化物膜を有するＩＩＩ族窒化物複合基板、その製造方法、積層ＩＩＩ族窒化物複合基板、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法が提供される。