LOW NOISE InGaAs PHOTODIODE ARRAY

• Main Author: ETTENBERG, MARTIN, H
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 21.05.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A photodiode pixel structure for imaging short wave infrared (SWIR) and visible light built in a planar structure and may be used for one dimensional and two dimensional photodiode arrays. The photodiode arrays may be hybridized to a read out integrated circuit (ROIC), for example, a silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuit. The photodiode in each pixel is buried under the surface and does not directly contact the ROIC amplification circuit. Charge is transferred form the detector using a junction field effect transistor (JFET) in each pixel. Disconnecting the photodiode from the ROIC amplification circuit enables low dark current as well as double correlated sampling in the pixel. La présente invention concerne une structure de pixels d'une photodiode servant à imager une lumière visible et infrarouge à courtes longueurs d'ondes (SWIR), construite dans une structure planaire et pouvant être utilisée pour un réseau de photodiodes à une et deux dimensions. Les réseaux de photodiodes peuvent être hybridés pour former un circuit intégré de lecture (ROIC), par exemple, un circuit à semi-conducteur oxyde-métal à symétrie complémentaire (CMOS). La photodiode dans chaque pixel est enterrée sous la surface et n'est pas en contact direct avec le circuit d'amplification ROIC. La charge est transférée du détecteur à chaque pixel à l'aide d'un transistor à effet de champ à jonction (JFET). La déconnexion de la photodiode du circuit d'amplification ROIC permet d'obtenir un faible courant d'obscurité ainsi qu'un double échantillonnage corrélé dans le pixel.