SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

• Main Authors: NISHIGUCHI, TARO, KUBOTA, RYOSUKE, OKITA, KYOKO, KANBARA, KENJI, TANAKA, SO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.04.2015
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A silicon carbide semiconductor substrate (10) is provided with a first principal surface (10a) and a second principal surface (10b) opposite the first principal surface (10a). The maximum diameter of the first principal surface (10a) is greater than 100mm, and the thickness of the silicon carbide semiconductor substrate (10) is 700μm or less. The dislocation density is 500/mm2 or less in an arbitrary region having a surface area of 1mm2 and located in a region (OR2) within 5mm from the outer-circumferential edge section (OR) of the first principal surface (10a) toward the center (O) of the first principal surface (10a). As a result, the present invention provides a silicon carbide semiconductor substrate capable of minimizing cracking. La présente invention concerne un substrat (10) semi-conducteur en carbure de silicium pourvu d'une première surface principale (10a) et d'une seconde surface principale (10b) disposée en regard de la première surface principale (10a). Le diamètre maximum de la première surface principale (10a) est supérieur à 100 mm, et l'épaisseur du substrat (10) semi-conducteur en carbure de silicium est inférieure ou égale à 700 µm. La densité des dislocations est inférieure ou égale à 500/mm2 dans une région arbitraire présentant une superficie de 1 mm2 et située dans une région (OR2) comprise dans une plage de 5 mm à partir de la section de bord (OR) circonférentiel extérieur de la première surface principale (10a) vers le centre (O) de la première surface principale (10a). L'invention pourvoit ainsi à un substrat semi-conducteur en carbure de silicium pouvant réduire au minimum la fissuration. 　炭化珪素半導体基板（１０）は、第１の主面（１０ａ）と、第１の主面（１０ａ）と反対側の第２の主面（１０ｂ）とを備える。第１の主面（１０ａ）の最大径が１００ｍｍより大きく、かつ炭化珪素半導体基板（１０）の厚みが７００μｍ以下である。第１の主面（１０ａ）の外周端部（ＯＲ）から第１の主面（１０ａ）の中心（Ｏ）に向かって５ｍｍ以内の領域（ＯＲ２）において、１ｍｍ2の面積を有する任意の領域の転位密度は５００／ｍｍ2以下である。これにより、割れの発生を抑制可能な炭化珪素半導体基板を提供する。