SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: NAKAGAWA, SHIGEYUKI, NANBU, TOSHIKAZU, MIYAMOTO, KENJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.02.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

At the time of bonding a wiring metal (2), which is formed of high purity Al, and a semiconductor chip (3) by providing recesses and projections (R) on a bonding surface of the semiconductor chip (3), said bonding surface being formed of a metal (A) (Al, Ag or the like) and/or on a bonding surface of the wiring metal (2), and by generating eutectic reaction between an insertion material, which is provided between the bonding surfaces, and the bonding materials to be bonded, a metallic atom diffusion prevention layer (L) formed of Ni, TiN, WN or the like is previously formed on a surface of the bonding surface of the wiring metal (2). La présente invention concerne, au moment de la liaison d'un métal de câblage (2), qui est formé d'Al à pureté élevée et d'une puce à semi-conducteurs (3) en fournissant des renfoncements et des parties saillantes (R) sur une surface de liaison de la puce à semi-conducteurs (3), ladite surface de liaison étant formée d'un métal (A) (Al, Ag ou similaires) et/ou sur une surface de liaison du métal de câblage (2) et en générant une réaction eutectique entre un matériau d'insertion, qui est ménagé entre les surfaces de liaison et les matériaux de liaison à lier, une couche de prévention de diffusion d'atome métallique (L) formée de Ni, TiN, WN ou similaires est précédemment formée sur une surface de la surface de liaison du métal de câblage (2).