CURABLE RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED USING SAME

• Main Authors: ITAYA, RYO, NAKAGAWA, YASUNOBU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.03.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMPOSITIONS BASED THEREON; COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; USE OF INORGANIC OR NON-MACROMOLECULAR ORGANIC SUBSTANCES ASCOMPOUNDING INGREDIENTS

Provided are: a curable resin composition which is useful in applications where a semiconductor element (in particular, a photosemiconductor element) is encapsulated, the composition having transparency, heat resistance, and flexibility and combining hydrogen sulfide (H2S) gas barrier properties with sulfur oxide (SOX) gas barrier properties; a cured object and an encapsulation material each obtained from the resin composition; and a semiconductor device. The curable resin composition comprises a polyorganosiloxane (A), a silsesquioxane (B), an isocyanurate compound (C), and a zinc compound (E), and is characterized in that the polyorganosiloxane (A) is a polyorganosiloxane having no aryl group, the silsesquioxane (B) comprises a ladder-type silsesquioxane, and the zinc compound (E) is contained in an amount of 0.01-0.1 part by weight, excluding 0.1 part by weight, relative to the total amount (100 parts by weight) of the polyorganosiloxane (A) and the silsesquioxane (B). The cured object, the encapsulation material, and the semiconductor device are obtained using the curable resin composition. La présente invention concerne une composition de résine durcissable pouvant être utilisée lorsqu'un élément semi-conducteur (notamment un élément photosemiconducteur) est encapsulé, ladite composition se révélant transparente, résistante à la chaleur et souple et combinant des propriétés de barrière à un gaz de type sulfure d'hydrogène (H2S) et des propriétés de barrière à un gaz de type oxyde de soufre (SOX) ; un objet durci et un matériau d'encapsulation produits chacun à partir de ladite composition de résine ; et un dispositif semi-conducteur. Ladite composition de résine durcissable contient un polyorganosiloxane (A), un silsesquioxane (B), un composé d'isocyanurate (C) et un composé de zinc (E), et est caractérisée en ce que le polyorganosiloxane (A) est un polyorganosiloxane ne possédant pas de groupe aryle, en ce que le silsesquioxane (B) comprend un silsesquioxane de type échelle et en ce que le composé de zinc (E) est présent à hauteur de 0,01 à moins de 0,1 partie en poids de la quantité totale (100 partie en poids) de polyorganosiloxane (A) et de silsesquioxane (B). L'objet durci, le matériau d'encapsulation et le dispositif semi-conducteur sont produits à partir de ladite composition de résine durcissable.