SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ASANO MASAMICHI, MASUOKA FUJIO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.02.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This invention addresses the problem of using vertical transistors, namely surrounding gate transistors (SGTs), to provide a small-surface-area semiconductor device that constitutes a CMOS two-input NAND circuit. This invention provides a semiconductor device constituting a two-input NAND circuit that has a small surface area and comprises a row of four MOS transistors. Each of said MOS transistors is formed on top of a flat silicon layer formed on top of a substrate and has a structure in which a drain, a gate, and a source are laid out vertically, said gate surrounding a silicon pillar, wherein the flat silicon layer comprises a first activated region that has a first conductivity type and a second activated region that has a second conductivity type, said regions being connected to each other via a silicon layer formed on the surface of the flat silicon layer. La présente invention aborde le problème lié à l'utilisation de transistors verticaux, à savoir des transistors à grille enveloppante (SGT), pour produire un dispositif à semi-conducteurs de faible superficie qui constitue un circuit NON-ET à deux entrées CMOS. Cette invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs constituant un circuit NON-ET à deux entrées qui possède une faible superficie et comprend une rangée de quatre transistors MOS. Chacun desdits transistors MOS est formé sur le dessus d'une couche de silicium plate formée sur le dessus d'un substrat et possède une structure dans laquelle un drain, une grille et une source sont disposées verticalement, ladite grille entourant un pilier de silicium, la couche de silicium plate comprenant une première région activée qui possède un premier type de conductivité et une seconde région activée qui possède un second type de conductivité, lesdites régions étant reliées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'une couche de silicium formée sur la surface de la couche de silicium plate.