ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Author: ITO, HIROHIDE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.01.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is to provide an electronic device, in which permeation of water or oxygen in a junction is reduced and which has a high safety, and a method for manufacturing the same. Provided is an electronic device comprising a substrate and, on the substrate, an electronic element body, an electrode that is connected to the electronic element body, a silicon-containing film that covers at least the electrode, and a sealing substrate that is joined with the substrate via a junction, said junction being provided around the electronic element body and comprising the silicon-containing film, to seal the electronic element body, wherein the substrate and/or the sealing substrate comprise a gas barrier film, and the silicon-containing film has a composition represented by chemical formula (1) [wherein x, y and z respectively represent atomic ratios of oxygen, nitrogen and carbon to silicon and satisfy the requirement 0≤y<0.3, 3<2x+5y≤5 and 0.01<z<1, or 0.3≤y<0.7, 3<2x+5y≤5 and 0≤z<1]. Also provided is a method for manufacturing the electronic device. L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif électronique, dans lequel la perméation d'eau ou d'oxygène dans une jonction est réduite et qui offre une sécurité élevée, et une méthode de fabrication de celui-ci. L'invention concerne un dispositif électronique comprenant un substrat et, sur le substrat, un corps élément électronique, une électrode qui est connectée au corps élément électronique, un film contenant du silicium qui recouvre au moins l'électrode, et un substrat de scellage qui est joint au substrat par l'intermédiaire d'une jonction, ladite jonction étant située autour du corps élément électronique et comprenant le film contenant du silicium, pour sceller le corps élément électronique, le substrat et/ou le substrat de scellage comprenant un film barrière contre les gaz, et le film contenant du silicium ayant une composition représentée par la formule chimique (1) [où x, y et z représentent respectivement des rapports atomiques d'oxygène, d'azote et de carbone par rapport au silicium et satisfont les contraintes 0≤y<0,3, 3<2x+5y≤5 et 0,01<z<1, ou 0,3≤y<0,7, 3<2x+5y≤5 et 0≤z<1]. L'invention concerne aussi une méthode de fabrication du dispositif électronique.