FILM FORMATION METHOD
Provided is a film formation method, whereby it becomes possible to form a stain-proof film having high durability on the surface of a chemically strengthened glass substrate without additionally requiring the formation of an alkaline barrier layer or the washing with an acid. A film formation metho...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
04.12.2014
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Summary: | Provided is a film formation method, whereby it becomes possible to form a stain-proof film having high durability on the surface of a chemically strengthened glass substrate without additionally requiring the formation of an alkaline barrier layer or the washing with an acid. A film formation method comprising: introducing an argon gas and an oxygen gas into an ion source (38) at a predetermined flow volume ratio to generate an ion beam that contains an argon gas ion and an oxygen gas ion at a specified ratio; preliminarily irradiating a substrate (14) comprising a chemically strengthened glass with the ion beam; and then forming a stain-proof film on the preliminarily irradiated surface directly in a resistive heating mode.
L'invention concerne un procédé de formation de film, par lequel il devient possible de former un film résistant aux salissures ayant une durabilité élevée, sur la surface d'un substrat vitreux chimiquement renforcé sans en outre nécessiter la formation d'une couche formant barrière alcaline ou de lavage à l'aide d'un acide. Ledit procédé de formation de film comprenant : l'introduction d'un gaz argon et d'un gaz oxygène dans une source d'ions (38) sous un rapport prédéterminé des débits pour générer un faisceau d'ions qui contient un ion de gaz argon et un ion de gaz oxygène sous un rapport spécifié ; l'irradiation préliminaire d'un substrat (14) comprenant un verre chimiquement renforcé à l'aide du faisceau d'ions ; et ensuite la formation d'un film résistant aux salissures sur la surface irradiée au préalable directement selon un mode de chauffage ohmique. |
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Bibliography: | Application Number: WO2013JP64913 |