SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
[Problem] To inhibit the occurrence of data retention failures. [Solution] A semiconductor device (50) is provided with: a semiconductor substrate (1) provided with a main surface (1a); an active region (K) partitioned by element-isolation regions provided to the main surface (1a); a trench (8a) pro...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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20.11.2014
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Summary: | [Problem] To inhibit the occurrence of data retention failures. [Solution] A semiconductor device (50) is provided with: a semiconductor substrate (1) provided with a main surface (1a); an active region (K) partitioned by element-isolation regions provided to the main surface (1a); a trench (8a) provided to the semiconductor substrate (1) so as to extend in a Y direction and intersect the active region (K); and a saddle fin (4a) which protrudes from a bottom surface of an active-region (K) intersecting portion of the trench (8a), and extends in an X direction. One end (4aa) of the saddle fin (4a) in the X direction is in contact with a trench side surface (8aa), i.e. one side surface of the trench (8a) in the X direction. Another end (4ab) of the saddle fin (4a) in the X direction is in contact with a trench side surface (8ab), i.e. another side surface of the trench (8a) in the X direction. An upper surface (4ac) of the saddle fin (4a) is inclined towards the trench side surface (8ab) from the trench side surface (8aa).
Le but de l'invention est d'inhiber la survenue de défaillances de rétention de données. L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs (50) qui comporte : un substrat de semi-conducteur (1) comportant une surface principale (1a); une région active (K) partitionnée par des régions d'isolation d'élément situées sur la surface principale (1a); une tranchée (8a) située sur le substrat de semi-conducteur (1) afin de s'étendre dans une direction Y et d'intersecter la région active (K); et une ailette de selle (4a) qui fait saillie depuis une surface inférieure d'une région active (K) en intersectant une partie de la tranchée (8a), et s'étend dans une direction X. Une extrémité (4aa) de l'ailette de selle (4a) dans la direction X est en contact avec une surface latérale de tranchée (8aa), c'est-à-dire une surface latérale de la tranchée (8a) dans la direction X. Une autre extrémité (4ab) de l'ailette de selle (4a) dans la direction X est en contact avec une surface latérale de tranchée (8ab), c'est-à-dire une autre surface latérale de la tranchée (8a) dans la direction X. Une surface supérieure (4ac) de l'ailette de selle (4a) est inclinée vers la surface latérale de tranchée (8ab) depuis la surface latérale de tranchée (8aa). |
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Bibliography: | Application Number: WO2014JP62220 |