STORAGE DEVICE

• Main Author: KOSEKI, HIDEYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 20.11.2014
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; PHYSICS

This storage device is equipped with a plurality of memory devices and a storage controller for controlling the plurality of memory devices as a RAID group. Each memory device is equipped with a non-volatile semiconductor memory (for example, flash memory) chip, and a memory controller for compressing data and storing the compressed data in the non-volatile semiconductor memory chip. The memory controllers provide the storage controller with logical memory regions. The storage controller divides the logical memory regions into a plurality of entries which are logical memory regions which are each of a prescribed size, obtains, from each memory device, capacity information pertaining to data capacity stored in the non-volatile semiconductor memory, and exchanges entry data between the semiconductor memory devices on the basis of the capacity information. L'invention porte sur un dispositif de stockage qui est équipé d'une pluralité de dispositifs de mémoire et d'un contrôleur de stockage pour commander la pluralité de dispositifs de mémoire, par exemple un groupe RAID. Chaque dispositif de mémoire est équipé d'une puce mémoire à semi-conducteurs non volatile (par exemple mémoire flash) et d'un contrôleur de mémoire pour compresser des données et stocker les données compressées dans la puce mémoire à semi-conducteurs non volatile. Les contrôleurs de mémoire fournissent au contrôleur de stockage des régions de mémoire logique. Le contrôleur de stockage divise les régions de mémoire logique en une pluralité d'entrées qui sont des régions de mémoire logique ayant chacune une taille prescrite, obtient, à partir de chaque dispositif de mémoire, des informations de capacité concernant la capacité de données qui sont stockées dans la mémoire à semi-conducteurs non volatile et échange des données d'entrées entre les dispositifs de mémoire à semi-conducteurs sur la base des informations de capacité.