SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND CIRCUIT HAVING SAME SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OKINO HIROYUKI, TEGA NAOKI, HISAMOTO DIGH, TAKAHAMA TAKASHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.10.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In order to provide an element that switches an optical signal at a faster response speed to an electrical signal, and a manufacturing method for the same, a semiconductor device in which a first N-type semiconductor region (9), a P-type semiconductor region (10), and a second N-type semiconductor region (11) are arranged in the order mentioned, is configured to be provided with, in the P-type semiconductor region, a donor level of greater than or equal to 0.5 eV from the lower end of a conduction band, and less than or equal to half of the energy gap of the conduction band, wherein density of the donor level is higher than density of an acceptor level forming the P-type in the P-type semiconductor region. La présente invention concerne un élément qui commute un signal optique à une vitesse de réponse supérieure à un signal électrique, et un procédé de fabrication associé. Selon l'invention, un dispositif à semi-conducteur dans lequel une première région semi-conductrice de type N (9), une région semi-conductrice de type P (10) et une seconde région semi-conductrice de type N (11) sont disposées dans l'ordre mentionné, est conçu de façon à être doté, dans la région semi-conductrice de type P, d'un niveau de donneurs supérieur ou égal à 0,5 eV depuis l'extrémité inférieure d'une bande de conduction, et inférieur ou égal à la moitié de la largeur de la bande interdite de la bande de conduction, la densité du niveau de donneurs étant supérieure à la densité d'un niveau d'accepteurs formant le type P dans la région semi-conductrice de type P.