SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND SYSTEM PROVIDED WITH SAME

• Main Authors: DONO CHIAKI, NARUI SEIJI, NODA HIROMASA, NAKAMURA MASAYUKI, KONDO CHIKARA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.09.2014
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

[Problem] To regenerate the charge of a memory cell having reduced information retention characteristics using a target row refresh operation. [Solution] A semiconductor storage device is provided with a memory cell array (11) comprising a plurality of word lines including word lines (WLI, WL2) that are adjacent to one another; and a TRR address conversion unit (53) that selects the word line (WL1) in response to the input of an address signal (IADD) indicating a first value while in a first operation mode and selects the word line (WL2) in response to the input of an address signal indicating a first value while in a target row refresh mode. Due to the fact that address conversion is performed on the semiconductor storage device side in the present invention, it is sufficient for a control device to output, for example, the address of a word line having a high access count to the semiconductor storage device during a target row refresh operation. As a result, control of the target row refresh operation on the control device side is facilitated. L'invention a pour objectif de régénérer la charge d'une cellule de mémoire ayant des caractéristiques de rétention d'informations réduites au moyen d'une opération de rafraîchissement de rangée cible. Pour ce faire, un dispositif de stockage à semi-conducteur comprend un réseau de cellules de mémoire (11) comprenant une pluralité de lignes de mots comprenant des lignes de mots (WLI, WL2) qui sont adjacentes l'une à l'autre ; et une unité de conversion d'adresse TRR (53) qui sélectionne la ligne de mots (WL1) en réponse à l'entrée d'un signal d'adresse (IADD) indiquant une première valeur dans un premier mode de fonctionnement et sélectionne la ligne de mots (WL2) en réponse à l'entrée d'un signal d'adresse indiquant une première valeur dans un mode de rafraîchissement de rangée cible. Etant donné que la conversion d'adresse est effectuée du côté du dispositif de stockage à semi-conducteur dans la présente invention, un dispositif de commande est suffisant pour générer, par exemple, l'adresse d'une ligne de mots ayant un nombre d'accès élevé au dispositif de stockage à semi-conducteur pendant une opération de rafraîchissement de rangée cible. Par conséquent, le contrôle de l'opération de rafraîchissement de rangée cible du côté du dispositif de commande est facilité.