METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

• Main Authors: AKAGI, TAKANOBU, SAITO, TATSUMA, MIYACHI, MAMORU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.09.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a high-reliability semiconductor light-emitting element having protrusions that are regularly arranged and of uniform size, and a method for manufacturing said element. This method for manufacturing a semiconductor light-emitting element includes: a step for forming a mask layer having a plurality of openings arranged at regular intervals along a crystal axis of a semiconductor structure layer on the surface of the semiconductor structure layer; a step for performing a plasma treatment on the surface of the semiconductor structure layer that is exposed by the openings of the mask layer; a step for removing the mask layer; and a step for forming protrusions on the surface of the semiconductor structure layer by wet-etching the surface of the semiconductor structure layer. L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur à fiabilité élevée ayant des saillies qui sont agencées de manière régulière et de taille uniforme, et un procédé de fabrication dudit élément. Ce procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur comprend : une étape de formation d'une couche de masque ayant une pluralité d'ouvertures agencées à des intervalles réguliers le long d'un axe cristallin d'une couche de structure de semi-conducteur sur la surface de la couche de structure de semi-conducteur ; une étape de réalisation d'un traitement par plasma sur la surface de la couche de structure de semi-conducteur qui est exposée par les ouvertures de la couche de masque ; une étape de retrait de la couche de masque ; et une étape de formation de saillies sur la surface de la couche de structure de semi-conducteur par gravure humide de la surface de la couche de structure de semi-conducteur.