WRITE SEQUENCE PROVIDING WRITE ABORT PROTECTION

In a multi-level cell (MLC) nonvolatile memory array, data is assigned sequentially to the lower and upper page of a word line, then both lower and upper pages are programmed together before programming a subsequent word line. Word lines of multiple planes are programmed together using latches to ho...

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Main Authors DUSIJA, GAUTAM ASHOK, AVILA, CHRIS NGA YEE
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 06.11.2014
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:In a multi-level cell (MLC) nonvolatile memory array, data is assigned sequentially to the lower and upper page of a word line, then both lower and upper pages are programmed together before programming a subsequent word line. Word lines of multiple planes are programmed together using latches to hold data until all data is transferred. Tail-ends of data of write commands are stored separately. Selon l'invention, dans une matrice de mémoire non volatile à cellule multi-niveaux (MLC), des données sont attribuées séquentiellement aux pages inférieure et supérieure d'une ligne de mots, puis les pages inférieure et supérieure sont toutes les deux programmées ensemble avant de programmer une ligne de mots subséquente. Des lignes de mots de multiples plans sont programmées ensemble à l'aide de verrous permettant de conserver des données jusqu'à ce que toutes les données aient été transférées. Des extrémités de queue de données d'instructions d'écriture sont stockées séparément.
Bibliography:Application Number: WO2014US18066