POLISHING SLURRY FOR REMOVAL OF COBALT

• Main Authors: MILLER, ANNE, GRANSTROM, JIMMY
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.09.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

The present invention provides a mechanical chemical polishing composition for cobalt, said composition combining low static etching properties for cobalt and a high polish rate therefor and exhibiting a high selectivity for cobalt, namely, a high polish rate ratio of cobalt to copper. A polishing composition which contains abrasive grains and at least one Co-complexing agent, characterized in that: the composition has a pH of 9 or higher; and the Co-complexing agent has one or more functional groups selected from between phosphonic acid group (-P(=O)(OH)2) and carboxyl group (-C(=O)OH). La présente invention se rapporte à une composition de polissage chimico-mécanique pour le cobalt, ladite composition combinant de faibles propriétés d'attaque chimique statique pour le cobalt et un taux de polissage élevé pour ce dernier et présentant une sélectivité élevée pour le cobalt, à savoir un rapport de taux de polissage élevé entre le cobalt et le cuivre. Une composition de polissage qui contient des particules abrasives et au moins un agent complexant du cobalt (Co) est caractérisée en ce que : la composition présente un pH égal ou supérieur à 9 ; et l'agent complexant du cobalt (Co) comprend un ou plusieurs groupes fonctionnels sélectionnés entre le groupe acide phosphonique (-P(=O)(OH)2) et le groupe carboxyle (-C(=O)OH).