BURIED HARD MASK FOR EMBEDDED SEMICON-DUCTOR DEVICE PATTERNING

Methods and apparatus for manufacturing semiconductor devices, and such semiconductor devices, are described. According to various aspects of the disclosure, a semiconductor device can be manufactured by forming a core region of the semiconductor device and forming a periphery region of the semicond...

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Main Authors HUI, ANGELA, TAI, CHAN, SIMON, S, BELL, SCOTT, A
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 10.07.2014
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Methods and apparatus for manufacturing semiconductor devices, and such semiconductor devices, are described. According to various aspects of the disclosure, a semiconductor device can be manufactured by forming a core region of the semiconductor device and forming a periphery region of the semiconductor device. A first polysilicon region can then be formed over the core and periphery regions of the semiconductor device. A first mask is formed on the first poly silicon layer and a second polysilicon layer is disposed such that the second polysilicon layer covers the first mask. A second mask can then be formed on the second polysilicon layer. After forming the second mask, portions of the first and second polysilicon layers that are uncovered by either the first or second masks are removed. L'invention concerne des méthodes et un appareil de fabrication de dispositifs semi-conducteurs, et de tels dispositifs semi-conducteurs. Selon différents aspects de l'invention, un dispositif semi-conducteur peut être fabriqué en formant une région cœur du dispositif semi-conducteur et en formant une région périphérie du dispositif semi-conducteur. Une première région en polysilicium peut ensuite être formée sur les régions cœur et périphérie du dispositif semi-conducteur. Un premier masque est formé sur la première couche de polysilicium et une deuxième couche de polysilicium est placée de façon que la deuxième couche de polysilicium recouvre le premier masque. Un deuxième masque peut ensuite être formé sur la deuxième couche de polysilicium. Après avoir formé le deuxième masque, des parties des première et deuxième couches de polysilicium qui ne sont pas couvertes par le premier masque ou par le deuxième masque sont enlevées.
Bibliography:Application Number: WO2014US10301