CERAMIC WIRING SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING CERAMIC WIRING SUBSTRATE

• Main Authors: HIROSE, YOSHIYUKI, TOYOSHIMA, GOUHEI, UENISHI, NOBORU, GOMA, NORIHITO, SUGITANI, SACHIE
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.07.2014
• Subjects: ALLOYS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; CASTING; CHEMISTRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; MAKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; POWDER METALLURGY; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS; WORKING METALLIC POWDER

Provided is a ceramic wiring substrate comprising a vertical conducting body which is formed by forming a vertical conducting hole in a substrate after the substrate is formed in a plate shape by sintering a ceramic precursor, forming a porous structure made of a metal with a high melting point in the vertical conducting hole, and infiltrating a low-resistance metal into the hole. The vertical conducting body has a normal composite structure with no abnormal grain growth, voids, cracks, or the like, and has no possibility of sloughing from the substrate. Also provided are a method for manufacturing the ceramic wiring substrate, and a semiconductor device configured using the ceramic wiring substrate. On the inner surface of the vertical conducting hole (2) of the substrate (3) before the vertical conducting body (4) having the composite structure is formed, an intermediate layer (5) comprising at least one from among the group consisting of Mo, W, Co, Fe, Zr, Re, Os, Ta, Nb, Ir, Ru, and Hf is formed. L'invention concerne un substrat de câblage en céramique comprenant un corps conducteur vertical obtenu par formation d'un trou conducteur vertical dans un substrat après formation du substrat sous forme d'une plaque par frittage d'un précurseur de céramique, par formation d'une structure poreuse constituée d'un métal à point de fusion élevé dans le trou conducteur vertical et infiltration d'un métal à faible résistance dans le trou. Le corps conducteur vertical présente une structure composite normale sans croissance de grain anormale, ni vides, ni craquelures ou analogue, et n'a pas la possibilité de se déverser du substrat. L'invention concerne également un procédé de fabrication du substrat de câblage en céramique, et un dispositif à semi-conducteurs conçu pour utiliser le substrat de câblage en céramique. Sur la surface interne du trou conducteur vertical (2) du substrat (3), avant la formation du corps conducteur vertical (4) à structure composite, est formée une couche intermédiaire (5) comprenant au moins un élément du groupe constitué de Mo, W, Co, Fe, Zr, Re, Os, Ta, Nb, Ir, Ru, et Hf.