GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

• Main Authors: FUJISAWA, HIDEO, IKEDA, HIROTAKA, TSUKADA, YUSUKE, MIKAWA, YUTAKA, KAMADA, KAZUNORI, KUBO, SHUICHI, OHATA, TATSUHIRO, MATSUMOTO, HAJIME
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.06.2014
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The main purpose of the present invention is to provide: a nonpolar or semipolar GaN substrate, in which a nitride semiconductor crystal having a low stacking fault density can be epitaxially grown on the main surface of the substrate; and a technique required for the production of the substrate. A gallium nitride substrate having a first main surface and a second main surface that is located on the opposed side of the first main surface, wherein the first main surface is a nonpolar surface or a semipolar surface, and the average basal-plane dislocation density in arbitrary 250-μm square regions in the first main surface is 1 × 106 cm-2 or less. Le principal objectif de la présente invention concerne l'obtention d'un substrat de GaN non polaire ou semi-polaire, dans lequel un cristal semi-conducteur de nitrure ayant une faible densité de défaut d'empilement peut être formé par croissance épitaxiale sur la surface principale du substrat ; ainsi qu'une technique requise pour la production dudit substrat. À cet effet, l'invention propose un substrat de nitrure de gallium qui comprend une première surface principale et une seconde surface principale qui est située sur le côté opposé de la première surface principale, la première surface principale étant une surface non polaire ou une surface semi-polaire, et la densité de dislocations dans le plan basal moyenne dans des régions de forme carrée de 250 μm arbitraires dans la première surface principale est de 1 × 106 cm-2 ou moins.