SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: PAEK, JONG SIK, SEO, SEONG MIN, PARK, DOO HYUN, DO, WON CHUL, LEE, JI, HUN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 15.05.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device including an interposer having a relatively thin thickness without a through silicon via and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interposer including a redistribution layer and a dielectric layer on a dummy substrate, connecting a semiconductor die to the redistribution layer facing an upper portion of the interposer, encapsulating the semiconductor die by using an encapsulation, removing the dummy substrate from the interposer, and connecting a bump to the redistribution layer facing a lower portion of the interposer. L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un interposeur ayant une épaisseur relativement fine sans trou d'interconnexion traversant le silicium et un procédé de fabrication de celui-ci. Le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprend la formation d'un interposeur comprenant une couche de redistribution et une couche diélectrique sur un substrat factice, la connexion d'une puce de semi-conducteur sur la couche de redistribution faisant face à une partie supérieure de l'interposeur, l'encapsulation de la puce de semi-conducteur par utilisation d'une encapsulation, le retrait du substrat factice de l'interposeur, et la connexion d'une bosse sur la couche de redistribution faisant face à une partie inférieure de l'interposeur.