FORMULATIONS OF SOLUTIONS AND PROCESSES FOR FORMING A SUBSTRATE INCLUDING AN ARSENIC DOPANT

• Main Authors: MOODY, LESLIE, SHANE, HOCHSTETLER, SPENCER, ERICH, POLLARD, KIMBERLY, DONA, LIU, JUNJIA, MACKENZIE, PETER, BORDEN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 26.06.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Formulations of solutions and processes are described to form a substrate including a dopant. In particular implementations, the dopant may include arsenic (As). In an embodiment, a dopant solution is provided that includes a solvent and a dopant. In a particular embodiment, the dopant solution may have a flashpoint that is at least approximately equal to a minimum temperature capable of causing atoms at a surface of the substrate to attach to an arsenic-containing compound of the dopant solution. In one embodiment, a number of silicon atoms at a surface of the substrate are covalently bonded to the arsenic-containing compound. L'invention concerne des formulations de solutions et des procédés qui permettent de former un substrat comprenant un dopant. Dans des mises en œuvre particulières, le dopant peut comprendre de l'arsenic (As). Dans un mode de réalisation, une solution de dopant est fournie, celle-ci comprenant un solvant et un dopant. Dans un mode de réalisation particulier, la solution de dopant peut avoir un point d'éclair qui est au moins approximativement égal à une température minimale pouvant amener des atomes à une surface du substrat à s'attacher à un composé contenant de l'arsenic de la solution de dopant. Dans un mode de réalisation, un certain nombre d'atomes de silicium à une surface du substrat sont liés de façon covalente au composé contenant de l'arsenic.