NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

• Main Authors: ISHITOBI, YURIKO, MURAKUKI, YASUO, KOUNO, KAZUYUKI, NAKAYAMA, MASAYOSHI, TAKAHASHI, KEITA, UEDA, TAKANORI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 08.05.2014
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

According to the present invention, a memory array (10) is provided with: a resistance change-type memory cell array (11) that is configured by connecting a first cell transistor and a resistance change element in series; and a reference cell array (12) that is configured by connecting a second cell transistor and a resistance element in series; the second cell transistor of the reference cell array (12) being connected to a reference source line (RSL) and the resistance element being connected to a reference bit line (RBL), a dummy memory cell inside the memory cell array (11) being connected to the reference bit line (RBL), and both ends of the resistance change element of the dummy memory cell being short-circuited by the reference bit line (RBL). La présente invention concerne une matrice mémoire (10) pourvue : d'une matrice de cellules de mémoire (11) de type à changement de résistance qui est conçue par connexion en série d'un premier transistor de cellule et d'un élément de changement de résistance ; et d'une matrice de cellules de référence (12) qui est conçue par connexion en série d'un second transistor de cellule et d'un élément résistance ; le second transistor de cellule de la matrice de cellules de référence (12) étant connecté à une ligne source de référence (RSL) et l'élément résistance étant connecté à une ligne de bits de référence (RBL), une cellule de mémoire fictive à l'intérieur de la matrice de cellules de mémoire (11) étant connectée à la ligne de bits de référence (RBL), et les deux extrémités de l'élément de changement de résistance de la cellule de mémoire fictive étant court-circuitées par la ligne de bits de référence (RBL).