PLASMA CVD APPARATUS

• Main Authors: JINDA,TOSHIYUKI, YAMASHITA,MASAMICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.05.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided is a plasma CVD apparatus, which is not needed to be exposed to the air at the time of replacing a shield member, and which has an improved apparatus operation rate. Specifically, this plasma CVD apparatus is provided with: a plasma generating chamber; a film-forming processing chamber communicated with the plasma generating chamber; a shield member for plasma isolation, said shield member being disposed between the plasma generating chamber and the film-forming processing chamber; a plasma-generating starting material gas introducing section, through which the plasma generating chamber is supplied with a starting material gas for generating plasma; a film-forming starting material gas introducing section, through which the film-forming processing chamber is supplied with a starting material gas for forming a film; a shield member supply section, which previously stores an unused shield member, and which supplies the unused shield member as needed; and a shield member recovery section, which recovers and stores the used shield member. La présente invention se rapporte à un appareil de dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour Chemical Vapor Deposition) par plasma qui n'a pas besoin d'être exposé à l'air au moment de remplacer un élément de protection et qui présente une meilleure vitesse de fonctionnement de l'appareil. De façon précise, cet appareil de dépôt CVD par plasma comprend : une chambre de génération de plasma ; une chambre de traitement de formation de film qui communique avec la chambre de génération de plasma ; un élément de protection pour permettre l'isolement du plasma, ledit élément de protection étant disposé entre la chambre de génération de plasma et la chambre de traitement de formation de film ; une section d'introduction d'un gaz comme matériau de départ de génération de plasma au moyen de laquelle la chambre de génération de plasma est alimentée en gaz comme matériau de départ pour générer du plasma ; une section d'introduction d'un gaz comme matériau de départ de formation d'un film au moyen de laquelle la chambre de traitement de formation de film est alimentée en gaz comme matériau de départ pour former un film ; une section de fourniture d'élément de protection qui stocke déjà un élément de protection non utilisé et qui fournit l'élément de protection non utilisé si cela est nécessaire ; et une section de récupération d'élément de protection qui récupère et stocke l'élément de protection utilisé.