ION SOURCE HAVING A SHUTTER ASSEMBLY

An ion source includes arc chamber housing defining an arc chamber. The arc chamber housing has an extraction plate in a fixed position, and the extraction plate defines a plurality of extraction apertures. The ion source also includes a shutter assembly positioned outside of the arc chamber proxima...

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Main Authors BLAHNIK, JEFFREY CHARLES, WEAVER, WILLIAM T
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 24.04.2014
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Summary:An ion source includes arc chamber housing defining an arc chamber. The arc chamber housing has an extraction plate in a fixed position, and the extraction plate defines a plurality of extraction apertures. The ion source also includes a shutter assembly positioned outside of the arc chamber proximate the extraction plate. The shutter assembly is configured to block at least a portion of one of the plurality of extraction apertures during one time interval. The ion source combined with relative movement of a workpiece to be treated with an ion beam extracted from the ion source enables a two dimensional ion implantation pattern to be formed on the workpiece using only one ion source. Selon la présente invention, une source d'ions comprend un logement de chambre à arc définissant une chambre à arc. Le logement de chambre à arc comporte une plaque d'extraction en position fixe, et la plaque d'extraction définit une pluralité d'ouvertures d'extraction. La source d'ions comprend également un ensemble obturateur placé à l'extérieur de la chambre à arc, à proximité de la plaque d'extraction. L'ensemble obturateur est conçu pour bloquer au moins une partie d'une ouverture de la pluralité d'ouvertures d'extraction pendant un intervalle de temps. La source d'ions associée au mouvement relatif d'une pièce destinée à être traitée avec un faisceau d'ions extraits de la source d'ions permet de former un motif bidimensionnel d'implantation d'ions sur la pièce au moyen d'une seule source d'ions.
Bibliography:Application Number: WO2013US64626