NEAR FIELD LIGHT DETECTION METHOD AND HEAT ASSISTED MAGNETIC HEAD ELEMENT EXAMINATION DEVICE

• Main Authors: ZHANG, KAIFENG, HIROSE, TAKENORI, HONMA, SHINJI, TOKUTOMI, TERUAKI, WATANABE, MASAHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.04.2014
• Subjects: APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBEMICROSCOPY [SPM]; INFORMATION STORAGE; INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORDCARRIER AND TRANSDUCER; MEASURING; PHYSICS; SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; TESTING

Provided is a near field light detection method for detecting, with a high S/N ratio, the intensity distribution of near field light. More specifically, as a method for measuring near field light, a method in which the difference of the measurement results of a light detection system is taken when a probe (2) with a cantilever tip is near the light emission surface of a head and when the distance of the probe (2) from the light emission surface is sufficiently large (greater than 100nm). Also, in a case where the amplitude of the horizontal direction of near field light is difficult to detect, in a measurement method for the intensity distribution (spot amplitude) of the horizontal direction of near field light, first the vertical direction amplitude is measured, and then on the basis of such results, the horizontal direction amplitude is calculated. Also provided is a heat assisted magnetic head element examination device to which the near field light detection method is applied. L'invention concerne un procédé de détection de lumière en champ proche destiné à détecter, avec un rapport S/B élevé, la répartition d'intensité d'une lumière en champ proche. Plus précisément, dans un procédé de mesure de lumière en champ proche selon l'invention, la différence des résultats de mesure d'un système de détection de lumière est relevée lorsqu'une sonde (2) dotée d'une pointe en porte-à-faux est proche de la surface d'émission de lumière d'une tête et lorsque la distance de la sonde (2) à la surface d'émission de lumière est suffisamment grande (supérieure à 100 nm). Par ailleurs, dans un cas où l'amplitude dans la direction horizontale d'une lumière en champ proche est difficile à détecter, dans un procédé de mesure de la répartition d'intensité (amplitude ponctuelle) de la direction horizontale de la lumière en champ proche, l'amplitude dans la direction verticale est mesurée en premier lieu puis, sur la base de ces résultats, l'amplitude dans la direction horizontale est calculée. L'invention concerne également un dispositif d'examen d'élément de tête magnétique à assistance thermique auquel est appliqué le procédé de détection de lumière en champ proche.