GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: YANAGISAWA, TAKUYA, MIKAMI, HIDENORI, MATSUMOTO, NAOKI, YOSHIZUMI, YUSUKE, NAKANISHI, FUMITAKE, SEKI, YUKI, HACHIGO, AKIHIRO, YAMAMOTO, YOSHIYUKI, HIROMURA, YUKI, UEMATSU, KOJI, ISHIBASHI, KEIJI, NAKAHATA, SEIJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.04.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a group III nitride composite substrate which can be obtained at a high yield and has a low sheet resistance; also provided are a manufacturing method therefor, and a method for manufacturing a group III nitride semiconductor device using a group III nitride composite substrate. The group III nitride composite substrate (1) includes a group III nitride film (13), and a support substrate (11) formed of a material having a different chemical composition than the group III nitride film (13). The group III nitride film (13) is directly or indirectly joined to the support substrate (11). The group III nitride film (13) has a thickness of not less than 10 μm. The sheet resistance at the main surface (13m) on the group III nitride film (13) side is 200 /sq or less. The method for manufacturing the group III nitride composite substrate (1) includes: a step wherein the group III nitride film (13) and the support substrate (11) are directly or indirectly bonded together; and a step wherein the thickness of the bonded group III nitride film (13) and/or the support substrate is reduced. L'invention concerne un substrat composite à nitrure du groupe III susceptible d'être obtenu à un rendement élevé et présentant une faible résistance de couche; sont également décrits un procédé de fabrication de celui-ci, et un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur à nitrure du groupe III utilisant un substrat composite à nitrure du groupe III. Le substrat composite (1) à nitrure du groupe III comprend un film (13) de nitrure du groupe III et un substrat porteur (11) formé d'un matériau présentant une composition chimique différente de celle du film (13) de nitrure du groupe III. Le film (13) de nitrure du groupe III est joint directement ou indirectement au substrat porteur (11). Le film (13) de nitrure du groupe III présente une épaisseur au moins égale à 10 μm. La résistance de couche au niveau de la surface principale (13m) du côté du film (13) de nitrure du groupe III est inférieure ou égale à 200 /carré. Le procédé de fabrication du substrat composite (1) à nitrure du groupe III comprend: une étape lors de laquelle le film (13) de nitrure du groupe III et le substrat porteur (11) sont directement ou indirectement collés ensemble; et une étape lors de laquelle l'épaisseur du film (13) de nitrure du groupe III et/ou du substrat porteur collés est réduite.