SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: HIRANO, NAOHIKO, YAMAUCHI, SHOUICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.04.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This silicon carbide semiconductor substrate is configured from a silicon carbide single crystal, and has, as an identifying indicator, a mark (2) formed at least on the surface thereof, said mark being configured from a crystal defect. When a silicon carbide single crystal (3) is grown using the silicon carbide semiconductor substrate as a seed crystal, the mark (2) can be propagated in the silicon carbide single crystal (3) as the crystal defect. When silicon carbide semiconductor substrates (4) are manufactured using the silicon carbide single crystal (3), each of the silicon carbide semiconductor substrates (4) can be in a state with the mark (2) having been already formed. La présente invention a trait à un substrat semi-conducteur de carbure de silicium qui est constitué d'un monocristal de carbure de silicium, et qui est doté, en tant qu'indicateur d'identification, une marque (2) qui est formée au moins sur sa surface, ladite marque étant constituée d'un défaut cristallin. Lorsqu'un monocristal de carbure de silicium (3) est soumis à une croissance en utilisant le substrat semi-conducteur de carbure de silicium en tant que germe cristallin, la marque (2) peut se propager dans le monocristal de carbure de silicium (3) en tant que défaut cristallin. Lorsque les substrats semi-conducteurs de carbure de silicium (4) sont fabriqués à l'aide du monocristal de carbure de silicium (3), chacun des substrats semi-conducteurs de carbure de silicium (4) peut être dans un état dans lequel la marque (2) a déjà été formée.