LIGHT-EXPOSURE METHOD AND DEVICE, AND DEVICE PRODUCTION METHOD

• Main Authors: OSHINO TETSUYA, UMEMOTO TAKAAKI, INOUE JIRO, OTA KAZUYA, MURAKAMI KATSUHIKO, KONDO HIROYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.04.2014
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MATERIALS THEREFOR; MEASURING; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

A light-exposure method in which a wafer in a vacuum environment is exposed to light using exposure light comprising extreme ultraviolet (EUV) light is provided with: a step in which exposure light is used to subject a wafer to scanning light exposure via a projection optical system and one portion of a pattern of a reticle supported on a reticle stage; a step in which a pattern surface of the reticle is irradiated, at a position separated in the scanning direction from an exposure-light-irradiated area of the reticle, with an electron beam; and a step in which detection results of secondary electrons generated from the pattern surface are used to examine the pattern surface. As a result, the imprinting, on a material body, of foreign matter deposition on a mask can be inhibited in cases when exposure light such as EUV light is used. La présente invention porte sur un procédé d'exposition de lumière dans lequel une tranche dans un environnement de vide est exposée à une lumière à l'aide d'une lumière d'exposition comprenant une lumière en ultraviolet extrême (UVE), qui comporte : une étape dans laquelle une lumière d'exposition est utilisée pour soumettre une tranche à une exposition de lumière de balayage par l'intermédiaire d'un système optique de projection et une partie d'un motif d'un réticule soutenu sur un étage de réticule ; une étape dans laquelle une surface de motif du réticule est exposée, au niveau d'une position séparée dans la direction de balayage d'une zone exposée à une lumière d'exposition du réticule, à un faisceau d'électrons ; et une étape dans laquelle des résultats de détection d'électrons secondaires générés par la surface de motif sont utilisés pour examiner la surface de motif. Par suite, l'empreinte, sur un corps matériel, d'un dépôt de matière étrangère sur un masque peut être empêchée dans des cas où une lumière d'exposition telle qu'une lumière UVE est utilisée.