SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: TSURUMI, NAOHIRO, NAKAZAWA, SATOSHI, UEDA, TETSUZO, ANDA, YOSHIHARU, KAJITANI, RYO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.04.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In order to reduce current collapse, and increase gain due to a reduction in a gate-drain capacitance (Cgd) and a gate resistance (Rg), this semiconductor device is provided with: a substrate; a first semiconductor layer that is positioned on the substrate, and is composed of a group III nitride semiconductor; a second semiconductor layer that is positioned on the first semiconductor layer, and is composed of a group III nitride semiconductor; a gate electrode, a source electrode and a drain electrode that are positioned on the second semiconductor layer; a first field plate electrode that is positioned on the second semiconductor layer; and a second field plate electrode that is positioned on the first field plate electrode. Furthermore, the first field plate electrode and the second field plate electrode are positioned between the gate electrode and the drain electrode. Afin de réduire l'effondrement de courant, et d'augmenter le gain en raison d'une réduction de la capacité grille-drain (Cgd) et d'une résistance de grille (Rg), le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention est équipé : d'un substrat ; d'une première couche semi-conductrice qui est positionnée sur le substrat, et qui est constituée d'un semi-conducteur de nitrure de groupe III ; d'une seconde couche semi-conductrice qui est positionnée sur la première couche semi-conductrice, et qui est constituée d'un semi-conducteur de nitrure de groupe III ; d'une électrode de grille, d'une électrode de source et d'une électrode de drain qui sont positionnées sur la seconde couche semi-conductrice ; d'une première électrode à plaque de champ qui est positionnée sur la seconde couche semi-conductrice ; et d'une seconde électrode à plaque de champ qui est positionnée sur la première électrode à plaque de champ. D'autre part, la première électrode à plaque de champ et la seconde électrode à plaque de champ sont positionnées entre l'électrode de grille et l'électrode de drain.