SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Author: OYU, KIYONORI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.04.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed herein is a semiconductor device that includes: a semiconductor substrate; a well of a first conductive type that is formed in the semiconductor substrate; an element isolation region embedded in the semiconductor substrate so as to define an active region of the well; first and second gate electrodes each including a side surface and a bottom surface that are covered with the well such that the first and second gate electrodes are formed to traverse the active region, and a peak depth of the well corresponding to the active region is equal to or shallower than a peak depth of the well corresponding to the element isolation region. L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend : un substrat de semi-conducteur ; un puits d'un premier type conducteur qui est formé dans le substrat de semi-conducteur ; une région d'isolation d'élément intégrée dans le substrat de semi-conducteur de façon à définir une région active du puits ; des première et seconde électrodes de grille comprenant chacune une surface latérale et une surface inférieure qui sont recouvertes avec le puits de telle sorte que les première et seconde électrodes de grille sont formées pour traverser la région active, et une profondeur de pic du puits correspondant à la région active est égale ou moins profonde qu'une profondeur de pic de puits correspondant à la région d'isolation d'élément.