A METHOD OF PASSIVATING A SILICON SUBSTRATE FOR USE IN A PHOTOVOLTAIC DEVICE

• Main Authors: WILLIAMS, PAUL, JAERVITALO, HENNA, HANNU-KUURE, MILJA, KAERKKAEINEN, ARI, LEIVO, JARKKO, WANG, JIANHUI, HADZIC, AMIR
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.03.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method of passivating a silicon substrate for use in a photovoltaic device, comprising providing a silicon substrate having a bulk and exhibiting a front surface and a rear surface, and forming by liquid phase application a dielectric layer on at least said rear surface. The dielectric layer formed at the rear surface is capable of acting as a reflector to enhance reflection of light into the bulk of the silicon substrate, and the dielectric layer is capable of releasing hydrogen into the bulk as well as onto a surface of the silicon substrate in order to provide hydrogenation and passivation. The present invention provides an inexpensive,low cost method of improving the electrical and/or optical performance of photovoltaic devices through the application of coating chemicals onto the backside of the silicon substrate. L'invention concerne un procédé de passivation d'un substrat de silicium utilisable dans un dispositif photovoltaïque, consistant à produire un substrat de silicium ayant un volume et présentant une surface avant et une surface arrière et à former par application en phase liquide une couche diélectrique sur au moins ladite surface arrière. La couche diélectrique formée à la surface arrière est capable d'agir comme un réflecteur pour améliorer la réflexion de la lumière dans le volume du substrat de silicium et la couche diélectrique est capable de libérer de l'hydrogène aussi bien dans le volume que sur une surface du substrat de silicium afin de réaliser l'hydrogénation et la passivation. La présente invention concerne un procédé économique à bas coût permettant d'améliorer la performance électrique et/ou optique de dispositifs photovoltaïques grâce à l'application de produits chimiques de revêtement sur l'arrière du substrat de silicium.