SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

• Main Authors: KOHARA YASUHIRO, HARADA MITSUNORI, NAKAHARA HIJIRI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.02.2014
• Subjects: ADVERTISING; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; DISPLAY; DISPLAYING; EDUCATION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; LABELS OR NAME-PLATES; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SIGNS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

A semiconductor device (100A) is provided with: a transparent conductive layer (3); an insulating layer (5) that is formed so as to cover the transparent conductive layer (3) and that comprises an opening (5u) that at least partially overlaps with the transparent conductive layer (3); a metal layer (7d) that is formed on the insulating layer (5) and within the opening (5u); and a contact section (90) that connects the transparent conductive layer (3) and the metal layer (7d). A nitride layer (20) comprising a metal that has a high melting point is arranged at the contact section (90) between the transparent conductive layer (3) and the part of the metal layer (7d) that is positioned within the opening (5u). The nitride layer (20) comprising a metal that has a high melting point is in contact with the upper surface of the transparent conductive layer (3). La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur (100A) qui est équipé : d'une couche conductrice transparente (3) ; d'une couche isolante (5) qui est formée de manière à recouvrir la couche conductrice transparente (3) et qui comprend une ouverture (5u) qui se chevauche au moins partiellement avec la couche conductrice transparente (3) ; d'une couche métallique (7d) qui est formée sur la couche isolante (5) et à l'intérieur de l'ouverture (5u) ; et d'une section de contact (90) qui connecte la couche conductrice transparente (3) et la couche métallique (7d). Une couche de nitrure (20) comprenant un métal qui est doté d'un point de fusion élevé est agencée sur la section de contact (90) entre la couche conductrice transparente (3) et la partie de la couche métallique (7d) qui est positionnée à l'intérieur de l'ouverture (5u). La couche de nitrure (20) comprenant un métal qui est doté d'un point de fusion élevé est en contact avec la surface of supérieure de la couche conductrice transparente (3).