CLEANING FLUID FOR SEMICONDUCTOR, AND CLEANING METHOD USING SAME

• Main Authors: SASSA, SUGURU, SHIGAKI, SHUHEI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.01.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLEANING; CLEANING IN GENERAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PERFORMING OPERATIONS; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

[Problem] To provide a cleaning fluid for effectively removing metallic and other impurities, in semiconductor element production steps, that are present in the parts of a semiconductor production device through which a liquid chemical for lithography is to be passed in a lithography step, before the passing of the liquid chemical in order to prevent defects from occurring on the semiconductor substrate through resist pattern formation or through semiconductor substrate processing. [Solution] A cleaning fluid for cleaning the parts of a semiconductor production device through which a liquid chemical for lithography is to be passed in a lithography step in semiconductor production, the cleaning fluid comprising an inorganic acid, water, and a hydrophilic organic solvent. The concentration of the inorganic acid in the cleaning fluid is preferably 0.0001-60 mass% relative to the total amount of the cleaning fluid. La présente invention vise à fournir un fluide de nettoyage pour retirer de manière efficace des impuretés métalliques et autres, dans des étapes de fabrication d'élément semi-conducteur, qui sont présentes dans les parties d'un dispositif de fabrication de semi-conducteurs à travers lesquels un produit chimique liquide pour la lithographie doit passer dans une étape de lithographie, avant le passage du produit chimique liquide afin d'éviter que des défauts ne se produisent sur le substrat semi-conducteur pendant la formation de motifs de résist ou pendant le traitement de substrat semi-conducteur. A cet effet, l'invention concerne un fluide de nettoyage pour nettoyer les parties d'un dispositif de fabrication de semi-conducteur à travers lequel un produit chimique liquide pour lithographie doit passer dans une étape de lithographie dans la fabrication de semi-conducteurs, le fluide de nettoyage comprenant un acide inorganique, de l'eau, et un solvant organique hydrophile. La concentration de l'acide inorganique dans le fluide de nettoyage est de préférence de 0,001 à 60 % en masse par rapport à la quantité totale du fluide de nettoyage.