ORGANIC THIN FILM FORMATION DEVICE

• Main Authors: IIJIMA, MASAYUKI, NAKAMORI, KENJI, HIRONO, TAKAYOSHI, SAITOU, KAZUHIKO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.01.2014
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention forms an organic thin film at a high film formation rate by means of the vapor of an organic compound generated by heating. A film formation chamber (43) is disposed in the interior of a buffer chamber (42), the side surface of one section of a center roller (17) is inserted into the film formation chamber (43) from a film formation chamber opening (54), and a base material film (23) is put into travel motion while being brought into close contact with the side section of the aforementioned section. Vapor from a vapor generation device (26) connected to the film formation chamber (43) is carried by means of a carrier gas, the center roller (17) is cooled by means of a cooling device (30), the base material film (23) is cooled to a temperature that is equal to or lower than the condensation temperature of the vapor, and an organic starting material layer (35) is formed on the surface of the base material film (23) by means of the vapor released into the film formation chamber (43) and is cured by rotating the center roller (17) and by means of the energy rays emitted in a curing chamber (44). The buffer chamber (42) is evacuated to a low pressure so that the vapor and the carrier gas that flowed out of the film formation chamber opening (54) does not flow into the curing chamber (44) or a roll chamber (41). La présente invention forme un film mince organique à une vitesse de formation de film élevée au moyen de la vapeur d'un composé organique générée par chauffage. Une chambre de formation de film (43) est disposée à l'intérieur d'une chambre tampon (42), la surface latérale d'une section d'un cylindre central (17) est introduite dans la chambre de formation de film (43) à partir d'une ouverture (54) de la chambre de formation de film, et un film de matière de base (23) est mis en mouvement de déplacement tout en étant amené en contact étroit avec la section latérale de la section mentionnée ci-dessus. De la vapeur provenant d'un dispositif de génération de vapeur (26) relié à la chambre de formation de film (43) est portée au moyen d'un gaz porteur, le rouleau central (17) est refroidi au moyen d'un dispositif de refroidissement (30), le film de matière de base (23) est refroidi à une température qui est inférieure ou égale à la température de condensation de la vapeur, et une couche de matière de départ organique (35) est formée sur la surface du film de matière de base (23) au moyen de la vapeur libérée dans la chambre de formation de film (43) et est durcie par la rotation du rouleau central (17) et au moyen des rayons d'énergie émis dans une chambre de durcissement (44). La chambre tampon (42) est mise sous vide à une basse pression de telle sorte que la vapeur et le gaz porteur s'étant écoulés hors de l'ouverture de la chambre de formation de fibre (54) ne s'écoulent pas dans la chambre de durcissement (44) ou dans une chambre de laminage (41).