LIQUID COMPOSITION FOR CLEANING, METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

• Main Authors: SHIMADA KENJI, YOSHIDA HIROSHI, OHTO MASARU, ABE KOJIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 19.12.2013
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

[Problem] The purpose of the present invention is to provide: a liquid composition for cleaning, which removes an organosiloxane thin film, a dry etching residue and a photoresist on the surface of an object to be processed in the production procedure of a semiconductor element, while suppressing damage to a low dielectric constant interlayer insulating film, a wiring material such as copper or a copper alloy, a barrier metal and a barrier insulating film; a method for cleaning a semiconductor element, which uses the liquid composition for cleaning; and a method for manufacturing a semiconductor element, which uses the liquid composition for cleaning. [Solution] A liquid composition for cleaning according to the present invention, which is used for the production of a semiconductor element, contains: 0.05-25% by mass of quaternary ammonium hydroxide; 0.001-1.0% by mass of potassium hydroxide; 5-85% by mass of a water-soluble organic solvent; and 0.0005-10% by mass of a pyrazole. [Problème] L'objet de la présente invention est de produire : une composition liquide permettant de nettoyer, laquelle retire une pellicule mince d'organosiloxane, un résidu de gravure par voie sèche et un enduit photorésistant sur la surface d'un objet à traiter dans la procédure de production d'un élément semi-conducteur, tout en évitant d'endommager une pellicule isolante intercouche à faible constante diélectrique, un matériau de circuit, par exemple du cuivre ou un alliage de cuivre, un métal de barrière et une pellicule isolante de barrière ; un procédé permettant de nettoyer un élément semi-conducteur, lequel utilise la composition liquide permettant de nettoyer ; et un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur, lequel utilise la composition liquide permettant de nettoyer. [Solution] La composition liquide permettant de nettoyer selon la présente invention, laquelle est utilisée pour la production d'un élément semi-conducteur, contient : 0,05 à 25 % en masse d'hydroxyde d'ammonium quaternaire ; 0,001 à 1,0 % en masse d'hydroxyde de potassium ; 5 à 85 % en masse d'un solvant organique soluble dans l'eau ; et 0,0005 à 10 % en masse d'un pyrazole.