METHOD AND DEVICE FOR FABRICATING PROTECTIVE FILM FOR LIGHT EMITTING ELEMENT

• Main Authors: NISHIMORI, TOSHIHIKO, SHIMAZU, TADASHI, MATSUDA, RYUICHI, YOSHIDA, KAZUTO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.12.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Provided are a method and device for fabricating a protective film for a light emitting element to form a light emitting element with high brightness and superior reliability. Therefore, prior to carrying out film formation in a film forming chamber (50) in a device (10) for fabricating a protective film for a light emitting element, a sapphire substrate (W) is heated to a prescribed temperature or higher in a heating chamber (40A) and plasma is initiated in the film forming chamber (50) before the sapphire substrate (W) is conveyed thereto. The sapphire substrate (W) that has been heated to the prescribed temperature or higher is conveyed from the heating chamber (40A) to the film forming chamber (50), and the sapphire substrate (W) is subjected to a plasma treatment in the film forming chamber (50) to form the protective film. La présente invention concerne un procédé et un dispositif permettant de fabriquer un film protecteur pour un élément électroluminescent afin de former un élément électroluminescent possédant une luminosité élevée et une fiabilité supérieure. En conséquence, avant de réaliser la formation du film dans une chambre de formation de film (50) dans un dispositif (10) permettant de fabriquer un film protecteur pour un élément électroluminescent, un substrat en saphir (W) est chauffé à une température prescrite ou supérieure dans une chambre chauffante (40A) et un plasma est initié dans la chambre de formation de film (50) avant que le substrat en saphir (W) y soit transporté. Le substrat en saphir (W) qui a été chauffé à la température prescrite ou supérieure est transporté depuis la chambre chauffante (40A) vers la chambre de formation de film (50), et le substrat en saphir (W) est soumis à un traitement par plasma dans la chambre de formation de film (50) pour former le film protecteur.