ROTATIONAL ABSORPTION SPECTRA FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS MONITORING AND CONTROL

• Main Authors: LIAN, LEI, STOUT, PHILLIP, ARMACOST, MICHAEL D, PATZ, RYAN, SUI, ZHIFENG
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 21.11.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods and apparatus for semiconductor manufacturing process monitoring and control are provided herein. In some embodiments, apparatus for substrate processing may include a process chamber for processing a substrate in an inner volume of the process chamber; a radiation source disposed outside of the process chamber to provide radiation at a frequency of about 200 GHz to about 2 THz into the inner volume via a dielectric window in a wall of the vacuum process chamber; a detector to detect the signal after having passed through the inner volume; and a controller coupled to the detector and configured to determine the composition of species within the inner volume based upon the detected signal. La présente invention concerne des procédés et un appareil pour une surveillance et une commande d'un procédé de fabrication de semi-conducteurs. Dans certains modes de réalisation, un appareil pour un traitement de substrat peut comprendre une chambre de traitement permettant de traiter un substrat dans un volume interne de la chambre de traitement; une source de rayonnement disposée à l'extérieur de la chambre de traitement pour fournir un rayonnement à une fréquence d'environ 200 GHz à environ 2 THz dans le volume interne par le biais d'une fenêtre diélectrique dans une paroi de la chambre de traitement sous vide; un détecteur pour détecter le signal après le passage par le volume interne; et un organe de commande couplé au détecteur et configuré pour déterminer la composition d'espèces au sein du volume interne sur la base du signal détecté.