METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: NAKAMURA HIROKI, MASUOKA FUJIO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.11.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for producing a semiconductor device involves: a step in which a first insulating film (104) is formed in the periphery of a fin-shaped silicon layer (103) and in which a columnar silicon layer (106) is formed on top of the fin-shaped silicon layer; a step in which a dispersion layer is formed by injecting impurities into the upper part of the columnar silicon layer, the top part of the fin-shaped silicon layer, and the bottom part of the columnar silicon layer; and a step in which a gate insulating film, a polysilicon gate electrode (114a), a polysilicon gate wire (114b), and a polysilicon gate pad (114c) are formed. The widths of the polysilicon gate electrode and the polysilicon gate pad are wider than the width of the polysilicon gate wire. The method for producing a semiconductor layer subsequently involves: a step in which an interlayer insulating film (120) is deposited and a metal layer (121) is deposited after the polysilicon gate electrode and the polysilicon gate wire are etched by exposing the polysilicon gate electrode and the polysilicon gate wire, and in which a metal gate electrode (121a) and a metal gate wire (121b) are formed; and a step in which a contact is formed. La présente invention se rapporte à un procédé permettant de produire un dispositif à semi-conducteurs, ledit procédé comprenant : une étape au cours de laquelle un premier film isolant (104) est formé à la périphérie d'une couche de silicium en forme d'ailette (103) et au cours de laquelle une couche de silicium en forme de colonne (106) est formée sur la couche de silicium en forme d'ailette; une étape au cours de laquelle une couche de dispersion est formée par injection d'impuretés dans la partie supérieure de la couche de silicium en forme de colonne, dans la partie supérieure de la couche de silicium en forme d'ailette et dans la partie inférieure de la couche de silicium en forme de colonne; et une étape au cours de laquelle sont formés un film d'isolation de grille, une électrode de grille en polysilicium (114a), un conducteur de grille en polysilicium (114b) et un plot de grille en polysilicium (114c). Les largeurs de l'électrode de grille en polysilicium et du plot de grille en polysilicium sont plus importantes que la largeur du conducteur de grille en polysilicium. Le procédé permettant de produire une couche à semi-conducteurs implique par la suite : une étape au cours de laquelle un film isolant intercouche (120) est déposé et une couche métalli (121) que est déposée après que l'électrode de grille en polysilicium et le conducteur de grille en polysilicium sont gravés par exposition de l'électrode de grille en polysilicium et du conducteur de grille en polysilicium, et au cours de laquelle une électrode de grille métallique (121a) et un conducteur de grille métallique (121b) sont formés; et une étape au cours de laquelle un contact est formé.