METHOD AND SYSTEM FOR FORMING PATTERNS USING CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPH

• Main Authors: FUJIMURA, AKIRA, AADAMOV, ANATOLY, BORK, INGO, KHALIULLIN, ELDAR
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.10.2013
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for mask data preparation (MDP) is disclosed, in which a set of shots is determined that will form a pattern on a reticle, where the determination includes calculating the pattern that will be formed on a substrate using an optical lithographic process with a reticle formed using the set of shots. A method for optical proximity correction (OPC) or MDP is also disclosed, in which a preliminary set of charged particle beam shots is generated using a preliminary mask model, and then the shots are modified by calculating both a reticle pattern using a final mask model, and a resulting substrate pattern. A method for OPC is also disclosed, in which an ideal pattern for a photomask is calculated from a desired substrate pattern, where the model used in the calculation includes only optical lithography effects and/or substrate processing effects. La présente invention concerne un procédé de préparation de données de masque (MDP), selon lequel un ensemble de tirs est déterminé, lequel formera un motif sur un réticule, la détermination faisant appel à un calcul du motif qui sera formé sur un substrat par utilisation d'un traitement photolithographique avec un réticule formé en utilisant l'ensemble de tirs. L'invention concerne également un procédé de correction de proximité optique (OPC) ou de MDP, selon lequel un ensemble préliminaire de tirs de faisceau de particules chargées est généré par utilisation d'un modèle de masque préliminaire, et les tirs sont ensuite modifiés par calcul à la fois d'un motif de réticule en utilisant un modèle de masque final et d'un motif de substrat résultant. L'invention concerne également un procédé d'OPC selon lequel un motif idéal d'un photomasque est calculé à partir d'un motif de substrat souhaité, le modèle utilisé pour le calcul ne comprenant que des effets photolithographiques et/ou des effets de traitement de substrat.