PELLICLE, RETICLE ASSEMBLY AND LITHOGRAPHIC APPARATUS

• Main Authors: LOPATIN, ALEKSEI, SJMAENOK, LEONID, BANINE, VADIM, SALASHCHENKO, NIKOLAY, YAKUNIN, ANDREI, SCACCABAROZZI, LUIGI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 17.10.2013
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Pellicles or films are disclosed that are suitable for use as protective covers for EUV device lithography reticles (patterning structures). The pellicles pass radiation of wavelength 5nm to 20nm whilst acting as a barrier to particulate deposits on reticles, which would otherwise lead to defects in devices patterned using the reticles. Also disclosed are reticle assemblies and lithographic apparatus including such pellicles, as well as methods for forming the pellicles. The pellicles may have a multilayer configuration, with the central region having two or more layers of silicon alternating with layers of the refractory material. Silicon oxide or nitride may be used as an interfacial layer for adhesion/anti-diffusion between the silicon and the refractory material. The pellicles are capable of self-support when tensioned over a reticle, without need of a support grid, even when sufficiently thin to permit high EUV transmissivity. L'invention concerne des pellicules ou films, adaptés à être utilisés comme revêtements de protection pour des réticules de lithographie de dispositif EUV (structures de formation de motifs). Les pellicules laissent passer le rayonnement de longueur d'onde de 5 nm à 20 nm, tout en agissant comme une barrière pour les dépôts de particules sur les réticules, qui entraîneraient autrement des défauts dans les dispositifs dont les motifs sont formés à l'aide des réticules. L'invention concerne également des ensembles de réticule et un appareil lithographique qui comprend de telles pellicules, ainsi que des procédés de formation des pellicules. Les pellicules peuvent avoir une configuration à multiples couches, la région centrale ayant deux ou plusieurs couches de silicium alternées avec des couches du matériau réfractaire. Du nitrure ou de l'oxyde de silicium peut être utilisé comme couche d'interface pour adhésion/anti-diffusion entre le silicium et le matériau réfractaire. Les pellicules sont capables de support autonome lorsqu'elles sont mises sous tension sur un réticule, sans besoin d'une grille de support, même lorsqu'elle sont suffisamment minces pour permettre une forte transmissivité EUV.