PULSED SEMICONDUCTOR LASER

• Main Authors: SUEDMEYER, THOMAS, WEINGARTEN, KURT, PALLMANN, WOLFGANG PETER, MAAS, DERAN J.H.C, KELLER, URSULA, ZAUGG, CHRISTIAN ANTON, HOFFMANN, MARTIN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.11.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

In accordance with an aspect of the invention, a laser for emitting pulsed electromagnetic laser radiation is provided, the laser being a vertical external cavity surface-emitting laser and comprising an optical resonator being defined by a radiation direction arrangement comprising two end reflectors, and the optical resonator defining a laser radiation beam path; the laser further comprising: - an essentially plane semiconductor gain structure having a surface plane for emitting said laser radiation; - pump for exciting said semiconductor gain structure to emit the laser radiation from the surface plane; - a mode locker arranged in the beam path for mode locking the laser radiation; - wherein the radiation direction arrangement is configured to direct the laser radiation on its path from one of the end reflectors to the other one of the end reflectors a plurality of times onto the semiconductor gain structure surface plane to stimulate the emission of the laser radiation from the semiconductor gain structure. Selon un aspect de l'invention, un laser permet d'émettre un rayonnement laser électromagnétique pulsé, le laser étant un laser à émission par la surface et à cavité externe verticale et comprenant un résonateur optique défini par un agencement de direction de rayonnement comprenant deux réflecteurs d'extrémité, et le résonateur optique définissant un trajet de faisceau de rayonnement laser; le laser comprend en outre : une structure de gain semi-conductrice sensiblement plane possédant un plan de surface permettant d'émettre ledit rayonnement laser; une pompe permettant d'exciter ladite structure de gain semi-conductrice pour émettre le rayonnement laser à partir du plan de surface; un système de blocage de modes agencé dans le trajet de faisceau pour réaliser un blocage de modes du rayonnement laser; l'agencement de direction de rayonnement étant conçu pour orienter le rayonnement laser sur son trajet depuis l'un des réflecteurs d'extrémité vers l'autre des réflecteurs d'extrémité plusieurs fois vers le plan de surface de la structure de gain semi-conductrice afin de stimuler l'émission du rayonnement laser à partir de la structure de gain semi-conductrice.