METHOD FOR DESIGNING CROSS-POINT RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE USING BIDIRECTIONAL CURRENT ELEMENT CONTROLLING BYPASS CURRENT

• Main Authors: HAYAKAWA, YUKIO, TSUJI, KIYOTAKA, KAWAHARA, AKIFUMI, YONEDA, SHINICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

A method for designing a cross-point nonvolatile memory device equipped with memory elements arranged as an N×M matrix, with the memory elements being equipped with a resistance change element and a bidirectional current control element connected in series to the resistance change element, wherein N, M, VR, Ion, a, and b are determined (S101) so as to satisfy b-VR/2 > a × [Log{(N-1)×(M-1)}- Log(Ion)], when the absolute value of the low-resistance-inducing voltage is VR, and the absolute value of the current flowing in a resistance change element that has transitioned to a low-resistance state when a low-resistance-inducing voltage is applied to both ends of the resistance change element while in the high-resistance state is Ion, and the relationship between the voltage V0 applied to both ends of the bidirectional current control element and the current I flowing in the bidirectional current control element approximates |V0| = a × Log(I)+b. L'invention porte sur un procédé de conception d'un dispositif de mémoire non volatile à points de croisement équipé d'éléments de mémoire agencés sous la forme d'une matrice N×M, les éléments de mémoire étant équipés d'un élément à changement de résistance et d'un élément de régulation de courant bidirectionnel connecté en série à l'élément à changement de résistance. N, M, VR, Ion, a et b sont déterminés (S101) de manière à satisfaire b-VR/2 > a × [Log{(N-1)×(M-1)}-Log(Ion)], quand la valeur absolue de la tension d'induction de basse résistance est VR, et la valeur absolue du courant circulant dans un élément à changement de résistance qui a effectué une transition vers un état à basse résistance lorsqu'une tension d'induction de basse résistance a été appliquée aux bornes de l'élément à changement de résistance dans l'état à haute résistance est Ion, et la relation entre la tension V0 appliquée aux bornes de l'élément de régulation de courant bidirectionnel et le courant I circulant dans l'élément de régulation de courant bidirectionnel est approximativement |V0| = a × Log(I)+b.