SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: MURAYAMA, KEIICHI, HOSOI, HIROYUKI, MIYAJIMA, KENICHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device is provided with: a substrate (101) having a semiconductor element formed thereon; a first wiring layer (103) formed on the substrate (101); and an insulating film, which is formed on the substrate (101), and which is in contact with the first wiring layer (103). The insulating film has a resin film (105) and inorganic films (104, 106). The inorganic films (104, 106) are provided such that the resin film (105) and the first wiring layer (103) are spaced apart from each other. Ce dispositif semi-conducteur est fourni avec : un substrat (101) ayant un élément semi-conducteur formé sur celui-ci ; une première couche de câblage (103) formée sur le substrat (101) ; et un film isolant, qui est formé sur le substrat (101), et qui est en contact avec la première couche de câblage (103). Le film isolant a un film de résine (105) et des films inorganiques (104, 106). Les films inorganiques (104, 106) sont prévues de telle sorte que le film de résine (105) et la première couche de câblage (103) sont espacés l'un de l'autre.