A METHOD OF FABRICATING A TUNNEL OXIDE LAYER AND A TUNNEL OXIDE LAYER FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: HEE, ENG GEK, WISLEY UNG, KA SIONG
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.10.2013
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of fabricating a tunnel oxide layer for a semiconductor memory device, the method comprising: fabricating on a substrate a first oxide layer by an in-situ-steam- generation process; and fabricating at least one further oxide layer by a furnace oxidation process, wherein during fabrication of the at least one further oxide layer, reactive gases penetrate the first oxide layer and react with the silicon substrate to form at least a first portion of the at least one further oxide layer beneath the first oxide layer. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde tunnel pour un dispositif semi-conducteur de mémoire, le procédé comprenant : la fabrication sur un substrat d'une première couche d'oxyde par un processus de génération par vapeur in situ ; et la fabrication d'au moins une autre couche d'oxyde par un traitement par oxydation dans un four, et durant la fabrication de ladite au moins une autre couche d'oxyde, des gaz réactifs pénétrant la première couche d'oxyde et réagissant avec le substrat de silicium pour former au moins une première partie de ladite au moins une autre couche d'oxyde sous la première couche d'oxyde.